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◆ 主要用于4-8英寸砷化鎵、磷化銦等化合物單晶生長 ◆ 設備由機架、安部支撐機構(gòu)、加熱器和控制系統(tǒng)組成 ◆ 能夠?qū)崿F(xiàn)安移動和轉(zhuǎn)動的精確控制
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