liguan1218@163.com
15562450816
中文 | English
網(wǎng)站首頁
關(guān)于我們
公司簡介
企業(yè)文化
專利證書
產(chǎn)品展示
第一代半導體工藝設(shè)備
第二代半導體工藝設(shè)備
第三代半導體工藝設(shè)備
第四代半導體工藝設(shè)備
石墨烯設(shè)備
晶體設(shè)備
新聞資訊
公司新聞
行業(yè)資訊
合作伙伴
工程團隊
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯(lián)系我們
English
產(chǎn)品分類
聯(lián)系方式
地址:濟南市槐蔭區(qū)濟南寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)園
電話:15562450816
郵箱:liguan1218@163.com
坩堝下降設(shè)備
◆ 主要用于4-8英寸砷化鎵、磷化銦等化合物單晶生長 ◆ 設(shè)備由機架、安部支撐機構(gòu)、加熱器和控制系統(tǒng)組成 ◆ 能夠?qū)崿F(xiàn)安移動和轉(zhuǎn)動的精確控制
在線留言
石墨烯薄膜設(shè)備
晶體生長設(shè)備
快速退火爐
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網(wǎng)站建設(shè):中企動力 濟南二分 | 標簽 | 營業(yè)執(zhí)照 | 城市分站