產(chǎn)品分類
PVT單晶生長(zhǎng)設(shè)備
所屬分類：
第三代半導(dǎo)體工藝設(shè)備
概要：
? 本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC) 、氮化鋁(AIN) 單晶生長(zhǎng)
關(guān)鍵詞：
PVT單晶生長(zhǎng)
PVT單晶生長(zhǎng)設(shè)備
產(chǎn)品概述/Product Introduction：
♦ 本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC) 、氮化鋁(AIN) 單晶生長(zhǎng)
This equipment is mainly used for the single crystal growth of silion carbide (SiC) and aluminum nitride (AIN)
產(chǎn)品特點(diǎn)/Product characteristics：
♦ 提供兩種工藝包
Two process packages are provided
①外形包:產(chǎn)出6英寸碳化硅(SiC) 單晶，外形不開裂
Shape package: 6-inch silicon carbide (SiC) single crystal is produced without cracking
②工藝包:晶型: 4H
Process package: Crystal form: 4H
電阻率:0.015~0.025ohm.cm
Resistivity: 0.015 ~ 0.025 ohm . cm
直徑:150.25士0.25mm
Diameter: 150.25士0.25 mm
厚度:≥10 (Figure 2) mm
Thickness:≥10 (Figure 2) mm
微管密度:≤3ea/cm²
Microtubule density:≤3 ea/cm²
TSD:≤1000ea/cm²
♦ 溫度最高可達(dá)2400°C
Temperatures up to 2400°C
♦ 加熱方式:感應(yīng)、電阻
Heating mode: induction and resistance
♦ 襯底尺寸: 4/6/8英寸
Substrate size: 4/6/8 inches
下一個(gè)
上一個(gè)
SiC籽晶粘接設(shè)備
下一個(gè)
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