日本中文字幕在线综合网-久久99久久精品在免费线97-中文字幕av天堂资源网-成人高清av在线免费播放

山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


%{tishi_zhanwei}%

LPCVD立式爐

半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一,主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS;立式LPCVD采用鐘罩式結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)嵌套腔體機(jī)械手傳片組件、舟旋轉(zhuǎn)組件,具有占地面積小、成膜均勻性高、工藝穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)。

LPCVD臥式爐

LPCVD設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一,主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS。

SiC高溫退火爐

專門用于碳化硅(SiC)氮化鎵(GaN)器件的離子注入后退火工藝,采用特殊的無金屬加熱設(shè)計(jì)使加工溫度提高到2000℃。 適用工藝:SiC和GaN晶圓的退火

SiC高溫氧化爐

專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝,可實(shí)現(xiàn)晶圓片高溫真空環(huán)境下完成氧化工藝??墒褂肙2,N2O,NO,NO2或濕法氧化,采用無金屬加熱和真空裝備。 適用工藝:氧化

臥式爐

該設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一,用于大規(guī)模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的氧化、擴(kuò)散、退火、合金等工藝。 氧化工藝:主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝。

立式爐

該設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一,用于大規(guī)模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的磷/硼擴(kuò)散、氧化、退火、合金和燒結(jié)等工藝 ; 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝。

MPCVD長晶爐

本設(shè)備主要是用于制備單晶金剛石??杉ぐl(fā)高穩(wěn)定度的等離子團(tuán),從而確保單晶生長的持續(xù)性,為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。

垂直布里奇曼法(VB)爐(非銥技術(shù))

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(無銥法),將原料放在垂直的坩堝內(nèi), 然后從坩堝尖端開始通過預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。

HVPE外延爐——臥式

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)等外延生長。

HVPE外延爐——立式

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)等外延生長。

坩堝下降爐

本設(shè)備主要用于砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物晶體生長。設(shè)備由機(jī)架、安瓿支撐機(jī)構(gòu)、加熱器和控制系統(tǒng)組成,能夠?qū)崿F(xiàn)安瓿移動和轉(zhuǎn)動的精確控制。

導(dǎo)模法長晶爐

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長,將原料放在留有狹縫的模具中,熔液借虹吸作 用上升到模具頂部,受籽晶誘導(dǎo)結(jié)晶生長成單晶。

< 1234 > 前往