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山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


產(chǎn)品分類

暫無數(shù)據(jù)

暫無數(shù)據(jù)

聯(lián)系方式


地址:濟南市槐蔭區(qū)濟南寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)園

電話:15562450816

郵箱:[email protected]

MPCVD設(shè)備

? 微波等離子化學氣相沉積技術(shù)(MPCVD) , 通過等離子增加前驅(qū)體的反應速率,降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量的金剛石單晶和多晶薄膜

氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長設(shè)備 臥式

? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長

氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長設(shè)備 立式

? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長

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