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山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


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暫無(wú)數(shù)據(jù)

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液相法長(zhǎng)晶爐

液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長(zhǎng),理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)。

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