產(chǎn)品分類(lèi)
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術(shù)）
所屬分類(lèi)：
Ga2O3單晶生長(zhǎng)及外延設(shè)備
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術(shù)）
概要：
本設(shè)備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長(zhǎng)（無(wú)銥法），將原料放在垂直的坩堝內(nèi)， 然后從坩堝尖端開(kāi)始通過(guò)預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過(guò)緩慢降溫而生長(zhǎng)出單晶。
關(guān)鍵詞：
坩堝下降法（vb）長(zhǎng)晶爐
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術(shù)）
產(chǎn)品概述/Product Introduction：
本設(shè)備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長(zhǎng)（無(wú)銥法），將原料放在垂直的坩堝內(nèi)， 然后從坩堝尖端開(kāi)始通過(guò)預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過(guò)緩慢降溫而生長(zhǎng)出單晶。
This equipment is mainly used for single crystal growth of Gallium Oxide (Ga2O3) (non-iridium method), where the raw material is placed in a vertical crucible and then directionally solidified from the tip of the crucible through a pre-set temperature gradient zone. Single crystals are grown by slow cooling.
提供2英寸驗(yàn)證工藝
Provide 2 inches validation process.
產(chǎn)品特點(diǎn)/Product Characteristics：
♦產(chǎn)量:2-6英寸 Capacity:2-6 inches
♦最高溫度:1850℃ Maximum temperature: 1850°C
♦加熱方式:電阻/RF Heating method: Resistance heating/RF heating
♦自動(dòng)化:全自動(dòng)化（除裝取料外） Automation:Full automation (except loading and unloading)
♦氣路:3路 Air Circuit:3 ways
♦襯底:2英寸 Substrate:2 inches
♦單晶:2英寸 高度:30mm Single crystal:2 inches Height:30mm
♦純單晶，沒(méi)有雜質(zhì)，電學(xué)性能不做保證 Pure single crystal, no impurities, electrical properties are not guaranteed
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HVPE外延爐——臥式
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