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垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術(shù)）
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金剛石單晶生長設(shè)備
GaAs / InP 單晶生長設(shè)備
聯(lián)系方式
地址：濟(jì)南市槐蔭區(qū)濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園
電話：15562450816
郵箱：[email protected]
坩堝下降爐
本設(shè)備主要用于砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物晶體生長。設(shè)備由機(jī)架、安瓿支撐機(jī)構(gòu)、加熱器和控制系統(tǒng)組成，能夠?qū)崿F(xiàn)安瓿移動和轉(zhuǎn)動的精確控制。
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擴(kuò)散/氧化/退火
Ga2O3單晶生長設(shè)備
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