隨著每一次信息技術(shù)重大突破，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)規(guī)模產(chǎn)生一次大飛躍，如 PC 時(shí)代支撐設(shè)備規(guī)模 200-300 億美元，智能手機(jī)時(shí)代支撐設(shè)備規(guī)模約 400 億美元，5G 時(shí)代支撐設(shè)備規(guī)模 600 億美元，同時(shí)，市場集中度也在持續(xù)提升，過去十年內(nèi)前五家設(shè)備龍頭市占率從 47%上升至64%，光刻機(jī) ASML 市占率從 65%升至 89%。

看點(diǎn)：2016-2019年進(jìn)入主流晶圓廠工藝驗(yàn)證的關(guān)鍵國產(chǎn)設(shè)備，將在2020年獲得實(shí)質(zhì)性突破。

隨著每一次信息技術(shù)重大突破，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)規(guī)模產(chǎn)生一次大飛躍，如 PC 時(shí)代支撐設(shè)備規(guī)模 200-300 億美元，智能手機(jī)時(shí)代支撐設(shè)備規(guī)模約 400 億美元，5G 時(shí)代支撐設(shè)備規(guī)模 600 億美元，同時(shí)，市場集中度也在持續(xù)提升，過去十年內(nèi)前五家設(shè)備龍頭市占率從 47%上升至64%，光刻機(jī) ASML 市占率從 65%升至 89%。下半年全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)強(qiáng)勢反彈及本土存儲(chǔ)廠研發(fā)線量產(chǎn)后加速擴(kuò)產(chǎn)，2020 年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)處于很好的市場環(huán)境，國產(chǎn)裝備與材料品牌將在新的一年里獲得較快發(fā)展時(shí)期，一是設(shè)備與材料龍頭經(jīng)營規(guī)模延續(xù)高速增長，二是之前尚未突破的離子注入機(jī)、光刻機(jī)、涂膠顯影、量測設(shè)備等將涌現(xiàn)一批后起之秀。本期的智能內(nèi)參，我們推薦中銀國際證券的研究報(bào)告《 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)2020年度策略》，分析全球半導(dǎo)體行業(yè)的最新發(fā)展?fàn)顩r，探尋國內(nèi)半導(dǎo)體市場2020年新的發(fā)展機(jī)遇。如果想收藏本文的報(bào)告( 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)2020年度策略)，可以在智東西(公眾號(hào)：zhidxcom)回復(fù)關(guān)鍵詞“nc424”獲取。本期內(nèi)參來源：中銀國際證券原標(biāo)題：《半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)2020年度策略》作者：楊紹輝 陳祥

半導(dǎo)體行業(yè)特征1、 行業(yè)規(guī)模的高成長性大于周期性半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)規(guī)模，1992 年僅為 81 億美元，1995-2003 年穩(wěn)定在 200-300 億美元，2004-2016 年穩(wěn)定在 300-400 億美元，2017-2018 年攀升至 550-650 億美元，1992-2018 年全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模年均增長 8%，整體上呈階段性成長趨勢。

▲全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)規(guī)模年均增長 8%Semi 預(yù)計(jì)，2019-2021 年依次是 576 億美元、608 億美元、668 億美元，隨著 5G 技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)規(guī)模將創(chuàng)歷史新高。2000-2010 年是全球 PC 互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，半導(dǎo)體制程設(shè)備行業(yè)的市場規(guī)模位于 250 億美元平均水平(制程設(shè)備占到半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)整體的 70%-80%)。到了 2010-2017 年，人類進(jìn)入了智能手機(jī)社交媒體時(shí)代，半導(dǎo)體制程設(shè)備行業(yè)的市場規(guī)模上升到 320 億美元的平均線上。2017-2020 年，人類將進(jìn)入了 5G、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，半導(dǎo)體制程設(shè)備的市場規(guī)模增加到 500-600 億美元以上的數(shù)量級(jí)。

▲ 2. 5G 大數(shù)據(jù)時(shí)代的半導(dǎo)體制程設(shè)備市場規(guī)模再上臺(tái)階2、 行業(yè)高度集中，且集中度一直在上升2018 年，行業(yè)前三家 AMAT、ASML、Lam Research 的市場份額合計(jì)約占 50%，前五家 AMAT、ASML、Lam Research、TEL、KLA 市占率合計(jì)為 71%。

▲ 全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)呈高度壟斷格局各項(xiàng)半導(dǎo)體設(shè)備的競爭格局：每類產(chǎn)品均被前 1-4 家公司寡頭壟斷：(1) 光刻機(jī)：EUV100%來自 ASML，ASML 在光刻機(jī)市場處于絕對壟斷地位;(2) 刻蝕設(shè)備：硅基刻蝕主要被 Lam 和 AMAT 壟斷，介質(zhì)刻蝕主要被 TEL 和 Lam 壟斷;(3) 薄膜設(shè)備：CVD 主要被日立、Lam、TEL、AMAT 壟斷，PVD 被 Lam 和 AMAT 壟斷 ;(4) 顯影設(shè)備：TEL 處于絕對壟斷地位;(5) 離子注入機(jī)：70%來自應(yīng)用材料，18%來自 Axcelis Technologies;(6) 清洗設(shè)備：主要來自 DNS、Lam、TEL 等 ;(7) CMP：70%來自 Applied Materials，26%來自 Ebara;(8) 熱處理：被 Applied Materials、日立國際電氣、TEL 壟斷;(9) 去膠設(shè)備：被 PSK、Lam、日立高科技、屹唐半導(dǎo)體;(10) 工藝檢測設(shè)備：KLA 市場份額 50%，Applied Materials 占 12%，日立高科技占 10%;(11) 劃片/減薄機(jī)：日本 DISCO 絕對壟斷;(12) 測試設(shè)備：被泰瑞達(dá)和愛德萬雙寡頭壟斷。

▲導(dǎo)體刻蝕設(shè)備被 Lam 和應(yīng)用材料壟斷

▲介質(zhì)刻蝕設(shè)備被 TEL 和 Lam 壟斷半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)前 10 家公司 2007 年市占率合計(jì) 66%，到 2018 年市占率合計(jì)達(dá)到 81%，提升了 15 個(gè)百分點(diǎn);前五家公司 2007 年市占率合計(jì) 57%，到 2018 年市占率合計(jì)達(dá)到 71%，提升了 14 個(gè)百分點(diǎn)。

▲全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)集中度日益上升從光刻機(jī)銷售情況看，ASML2018 年市占率達(dá)到 89%，而 2005 年 ASML 僅占 55%，ASML 市占率在過去十多年內(nèi)持續(xù)上升。

▲全球光刻機(jī)龍頭 ASML 市占率逐年上升從刻蝕設(shè)備競爭格局看，行業(yè)集中度也在持續(xù)上升：(1)介質(zhì)刻蝕設(shè)備市場上，2018 年 TEL、Lam Research 壟斷了 97%的市場份額，而 2005 年兩家公司僅占 76%;(2)導(dǎo)電刻蝕設(shè)備市場上，2018 年Lam Research、Applied Materials 壟斷了 86%的市場份額，而 2005 年兩家公司僅占 74%。

▲TEL 和 Lam Research 在介質(zhì)刻蝕設(shè)備市場的市占率逐年攀升

▲Lam Research、AMAT 在導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的市占率逐年攀升

5G時(shí)代半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的反轉(zhuǎn)1、 三季度以來，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)顯著反轉(zhuǎn)北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商 10 月出貨金額為 21.09 億美元，環(huán)比上升 7.7%，同比增長 3.9%，前 10 月累計(jì)出貨 197 億美元，同比下滑 17%，但下滑幅度較過去 9 個(gè)月有顯著收窄。統(tǒng)計(jì) 7 家全球半導(dǎo)體設(shè)備上市企業(yè)，三季度收入 142 億美元，環(huán)比增長 10%，是連續(xù)四個(gè)季度負(fù)增長后首次恢復(fù)環(huán)比正增長，同比下降 6%，下滑幅度較一、二季度明顯收窄。展望四季度，ASML預(yù)計(jì)收入將環(huán)比大幅增長 30%，而 Lam、KLA、Teradyne 等預(yù)計(jì)第四季度收入環(huán)比正增長。

▲ASML、KLA、Applied Materials 等的單季度收入企穩(wěn)回升ASML 三季度收入繼續(xù)環(huán)比上升。ASML 第三季度收入 30 億歐元，環(huán)比增長 16%，同比增長 8%，延續(xù)今年二季度以來的強(qiáng)勢反彈;ASML 預(yù)計(jì)第四季度收入 39 億元，環(huán)比增長 31%，同比增長 24%，單季度營業(yè)收入將創(chuàng)歷史新高。此外，Applied Materials 預(yù)計(jì)今年第三季度收入 36.85±1.5 億美元，環(huán)比增長 3.5%左右;TEL 預(yù)計(jì)今年第三季度收入約為 25.5 億美元，環(huán)比增長 30%。

▲ASML 季度收入同比增速顯著回升選擇已公布三季報(bào)的上市公司為例，三季度在二季度毛利率環(huán)比回升的基礎(chǔ)上繼續(xù)小幅恢復(fù)，表明全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的盈利能力企穩(wěn)回升。其中 ASML 三季度毛利率將從一季度 41.6%、二季度43%繼續(xù)上升至 43.7%，預(yù)計(jì)第四季度毛利率將達(dá)到 48%-49%;KLA 毛利率將從一季度 55.6%、二季度52.9%回升至三季度的 60.8%，預(yù)計(jì)第四季度毛利率將達(dá)到 60%-61%。

▲全球部分半導(dǎo)體設(shè)備上市公司為樣本的毛利率回升

▲ASML 單季度毛利率回升2、 5G 對先進(jìn)制程工藝設(shè)備拉動(dòng)效果明顯從 ASML 整體三季度收入結(jié)構(gòu)看，單季收入環(huán)比、同比實(shí)現(xiàn)正增長的原因，主要是來自邏輯客戶的收入 20.4 億歐元，環(huán)比增長 81%，同比增長 98%，而來自存儲(chǔ)客戶的收入僅 5.4 億歐元，環(huán)比下降 25%，同比下降 62%。

▲邏輯電路客戶拉動(dòng) ASML 季度收入大幅反彈ASML 的 EUV 訂單創(chuàng)歷史新高。今年三季度 ASML 的 EUV 新增訂單達(dá)到 23 臺(tái)，與歷史最高 10 臺(tái)相比高出 130%，迎來歷史上再次爆發(fā)性增長，表明先進(jìn)制程對設(shè)備需求十分旺盛。同時(shí)，ASML 的 EUV交貨量也穩(wěn)步上升，第三季度交付 EUV 設(shè)備 7 臺(tái)，預(yù)計(jì)四季度交付 EUV 設(shè)備 8 臺(tái)，全年交付 EUV設(shè)備 26 臺(tái)，而 2016、2017、2018 年依次交付 5 臺(tái)、11 臺(tái)、18 臺(tái)。

▲ASML EUV 訂單創(chuàng)新高

▲ASML EUV 累計(jì)交付 50 多臺(tái)ASML 光刻設(shè)備 EUV 訂單爆發(fā)式增長，主要是以臺(tái)積電為主的晶圓代工廠加大對先進(jìn)制程的產(chǎn)能擴(kuò)張。根據(jù)臺(tái)積電最新季報(bào)顯示，臺(tái)積電將 2019 年資本開支計(jì)劃從原來的 110 億美元，上調(diào)至 140-150億美元，創(chuàng)下公司歷史的新高，主要是 5G 的需求高過預(yù)期，其整體市場的發(fā)展甚至快于 4G。公司預(yù)計(jì) 2020 年資本開支也將保持在 140-150 億美元，公司將持續(xù)對 5nm、3nm、2nm 制程的擴(kuò)產(chǎn)和研發(fā)。

▲2019 年 TSMC 資本支出創(chuàng)新高先進(jìn)制程對設(shè)備需求彈性大。以臺(tái)積電為例，每個(gè)節(jié)點(diǎn)的投資額迅速攀升，其中 16nm制程 1萬片產(chǎn)能投資 15 億美元，而 7nm制程 1 萬片產(chǎn)能投資估計(jì) 30 億美元，5nm制程 1 萬片產(chǎn)能投資估計(jì) 50 億美元 。

▲臺(tái)積電先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)將持續(xù)多年根據(jù)電子工程網(wǎng)(ee.ofweek.com)顯示，近期臺(tái)積電 16nm、7nm 制程產(chǎn)能供不應(yīng)求，7nm 產(chǎn)能將提高1 萬片至 8-9 萬片/月，而明年 3 月份即將量產(chǎn)的 5nm 制程產(chǎn)能原計(jì)劃 5 萬片/月，目前產(chǎn)能已被客戶預(yù)定，臺(tái)積電計(jì)劃將 5nm 制程產(chǎn)能從 5 萬片/月提高到 7-8 萬片/月。5G 技術(shù)是先進(jìn)制程的主要應(yīng)用領(lǐng)域。今年以來，十多款 5G 手機(jī)陸續(xù)上市銷售，如華為 Mate 20 X(5G)、中興通訊天機(jī) Axon 10 Pro 5G、iQOO Pro 5G、中國移動(dòng)先行者 X1、三星 Galaxy Note10+ 5G。其中 vivo旗下的 iQOO 起步價(jià) 3,798 元，三星最貴起步價(jià)為 7,999 元。5G 手機(jī)通常搭載 12-7nm 制程工藝基帶芯片，包括高通 SnapdragonX50、聯(lián)發(fā)科 HelioM70、英特爾 XMM8000 系列、三星 ExynosModem5000系列、海思 Balong5000 系列等。

▲5G 手機(jī)基帶芯片主要采用 7nm 工藝據(jù)中國信息通信研究院每月發(fā)布數(shù)據(jù)顯示，2019 年 7、8、9 月國內(nèi) 5G 手機(jī)銷量依次為 7.2 萬部、21.9萬部、49.7 萬部，占手機(jī)總銷量的 0.2%、0.7%、1.4%。預(yù)計(jì) 2020 年全球 5G 手機(jī)銷量 1.6 億部，占手機(jī)總銷量的比重將達(dá)到 10%左右，5G 手機(jī)銷售將在 2019-2020 年全面鋪開、普及。

▲5G 手機(jī)銷量占比迅速上升3、 5G 應(yīng)用將使得存儲(chǔ)廠商的設(shè)備采購需求回升5G 手機(jī)的存儲(chǔ)容量將大幅增加。5G 手機(jī)因傳輸速度快，對應(yīng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力將較 4G 手機(jī)高出 1 倍以上，通常 4G 手機(jī)存儲(chǔ)容量 64-256GB，而 5G 手機(jī)的存儲(chǔ)容量將在 512GB 以上。

▲5G 手機(jī)的存儲(chǔ)容量將是 4G 的 2 倍以上據(jù)西部數(shù)據(jù)的估計(jì)，移動(dòng)數(shù)據(jù) 2016-2021 年每年保持 40%-50%增速，其中移動(dòng)視頻到 2021 年將增長870%，增速最快，可見移動(dòng)終端的存儲(chǔ)容量將越來越大。

▲移動(dòng)數(shù)據(jù)年均 40%-50%高增長5G 實(shí)現(xiàn)物物互聯(lián)，物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等的發(fā)展將拉動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。5G 在低延時(shí)和傳輸速度上的優(yōu)勢，使得機(jī)器設(shè)備產(chǎn)生數(shù)據(jù)的時(shí)代已經(jīng)到來，具體表現(xiàn)形式包括，一方面是類似三一重工 5G 遠(yuǎn)程操作挖掘機(jī)，另一方面是物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等。5G 時(shí)代將出現(xiàn)萬億設(shè)備相互鏈接，數(shù)據(jù)的產(chǎn)生將從 4G 時(shí)代的人走向物體，形成的海量數(shù)據(jù)不僅在處理上拉動(dòng)邏輯電路芯片需求，也對存儲(chǔ)容量提出更多需求，存儲(chǔ)芯片也因此面臨新的挑戰(zhàn)。據(jù) sohu 及 IDC，2016 年，全球聯(lián)網(wǎng)終端數(shù)量為 148.66 億臺(tái)。伴隨著 5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)發(fā)展，2020 年全球接入網(wǎng)絡(luò)的終端數(shù)將超過 300 億臺(tái)，年復(fù)合增長率達(dá)到 20.2%。5G 時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在底層技術(shù)上也將發(fā)生變化。一是存儲(chǔ)內(nèi)容上的變化。存儲(chǔ)對象將包括 AR/VR、視頻、文字、數(shù)字等，需要有專門的存儲(chǔ)模式。一個(gè)典型的實(shí)例就是抖音和快手等，4G 時(shí)代已經(jīng)實(shí)現(xiàn)短視頻的快速傳輸、處理和存儲(chǔ)，在 5G 時(shí)代高達(dá) GBPS 級(jí)別的傳輸速度，短視頻甚至演變成中長視頻、更清晰視頻。二是讀寫速度等性能要求會(huì)更高。根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)器設(shè)備資本支出從 2013 年的 147 億美元增長至 2018 年的 520 億美元，占半導(dǎo)體行業(yè)資本支出的比重在過去 7 年內(nèi)大幅增加，從 2013 年的 27%升至 2018 年的 49%。2019 年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)資本支出將占今年半導(dǎo)體總資本支出總額的 43%，低于 2018 年的 49%，主要是供過于求導(dǎo)致導(dǎo)致 Nand 和 Dram 價(jià)格持續(xù)下行，存儲(chǔ)器廠商大幅收縮資本支出，其中 IC Insights 預(yù)計(jì) 2019 年存儲(chǔ)器設(shè)備資本支出 416 億美元，同比下降 20%。

▲全球存儲(chǔ)器廠商資本支出短期波動(dòng)

國產(chǎn)設(shè)備進(jìn)入全面突破時(shí)期今年 9 月，華虹半導(dǎo)體(無錫)項(xiàng)目、廣州粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目、合肥長鑫 DRAM 項(xiàng)目均正式投產(chǎn)。今年年底到明年年初，國內(nèi)包括燕東微電子、上海積塔半導(dǎo)體等的多條 8 寸線也將陸續(xù)投產(chǎn)。隨著研發(fā)產(chǎn)線投產(chǎn)后，多個(gè)晶圓廠開啟了新一輪設(shè)備采購步伐，包括：(1) 長江存儲(chǔ)于 8 月份開始了新的 1 萬片/月產(chǎn)能的設(shè)備采購，預(yù)計(jì)年末還將加大采購力度，預(yù)計(jì) 2020年底產(chǎn)能達(dá)到 5-6 萬片/月。長江存儲(chǔ) 2017 年至 2019 年一季度累計(jì)采購 19 臺(tái)光刻機(jī)， 2019 年三季度長江存儲(chǔ)公布新招標(biāo) 4 臺(tái)光刻機(jī)設(shè)備，并招標(biāo)采購接近 100 臺(tái)的其他工藝設(shè)備。(2) 華力二期去年投產(chǎn)，今年也已啟動(dòng)新 1 萬片/月產(chǎn)能的設(shè)備采購。華力二期在 2017 年集中采購了7 臺(tái)光刻機(jī)，2019 年 7 月新采購 3 臺(tái)光刻機(jī)。(3) 華虹無錫項(xiàng)目一期 1 萬片/月 9 月投產(chǎn)，已啟動(dòng)新的 1 萬片/月設(shè)備采購。華虹無錫 2018 年采購 4臺(tái)光刻機(jī)，2019 年 8 月新采購 2 臺(tái)光刻機(jī)。(4) 合肥長鑫目前設(shè)備產(chǎn)能約 2 萬片/月，預(yù)計(jì) 2020 年底產(chǎn)能達(dá) 4 萬片/月。(5) 廣州粵芯首期 3 千片/月 9 月投產(chǎn)，預(yù)計(jì)短期會(huì)擴(kuò)產(chǎn)到 1.8 萬片/月。(6) 上海積塔 8 寸線也將投產(chǎn)，預(yù)計(jì) 2020 年初將啟動(dòng) 12 寸產(chǎn)線設(shè)備采購。(7) 燕東微電子 8 寸線即將投產(chǎn)，12 寸線設(shè)備采購值得期待。(8) 中芯南方計(jì)劃總投資 102 億美元，建設(shè)兩條產(chǎn)能均為 3.5 萬片/月芯片的 14nm 集成電路生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年年底 14nm FinFET 開始商業(yè)化生產(chǎn)。1、 制程設(shè)備隨著全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)進(jìn)入景氣上行階段，且本土晶圓廠擴(kuò)張?zhí)崴?，國產(chǎn)設(shè)備也將迎來快速發(fā)展，同時(shí)，國產(chǎn)設(shè)備市占率也有望在國際品牌交貨緊張的情況下，緩解 2019 年所面臨的價(jià)格壓力，并加快進(jìn)口替代步伐。

▲主要晶圓廠制程設(shè)備國產(chǎn)化率處于 10%水平各類制程設(shè)備的國產(chǎn)化率：(1) 去膠設(shè)備：國產(chǎn)化率最高的是去膠設(shè)備，主要是屹唐半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了去膠設(shè)備國產(chǎn)化;(2) 清洗設(shè)備：國產(chǎn)化率約為 20%左右，本土品牌主要是盛美半導(dǎo)體、北方華創(chuàng);(3) 刻蝕設(shè)備：國產(chǎn)化率約為 20%左右，本土品牌包括中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體;(4) 熱處理設(shè)備：國產(chǎn)化率約為 20%左右，本土品牌包括北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體;(5) PVD 設(shè)備：國產(chǎn)化率約為 10%左右，本土品牌包括北方華創(chuàng);(6) CMP 設(shè)備：國產(chǎn)化率約為 10%左右，本土品牌包括華海清科;(7) CVD 設(shè)備：有零的突破，但總體國產(chǎn)化率不高于 5%，本體品牌是沈陽拓荊;(8) 量測設(shè)備：國產(chǎn)化率 2%左右，本土品牌包括上海睿勵(lì)、中科飛測、上海精測半導(dǎo)體;(9) 離子注入機(jī)：國產(chǎn)化有零的突破，本土品牌包括中科信、凱世通等;(10) 涂膠顯影設(shè)備：國產(chǎn)化有零的突破，本土品牌包括沈陽芯源;(11) 光刻設(shè)備：預(yù)計(jì)國產(chǎn)化將有零的突破，本土品牌是上海微電子。根據(jù)集微網(wǎng)、DRAMeXchange 等，2017 年底，作為 5 家刻蝕設(shè)備供應(yīng)商之一，中微被 TSMC 納入 7nm制程設(shè)備采購名單，2018 年底其自主研發(fā)的 5nm 等離子刻蝕機(jī)經(jīng) TSMC 驗(yàn)證通過。在臺(tái)積電 7nm 制程繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，以及 5nm 制程產(chǎn)線建設(shè)期間，中微的等離子刻蝕機(jī)臺(tái)有望迎來旺盛需求，享受 5G 手機(jī)帶來對先進(jìn)制程工藝設(shè)備的爆發(fā)式需求增長。

▲中微刻蝕機(jī)進(jìn)入客戶臺(tái)積電的歷史業(yè)績2、 測試設(shè)備半導(dǎo)體測試細(xì)分為：SOC 測試，RF 測試、Memory IC 測試和 Analog IC 測試。其中 SOC 測試占到 ATE的 64%，Memory IC 和 RF 測試設(shè)備各占 15-20%。2018 年全球半導(dǎo)體測試設(shè)備市場規(guī)模約為 55-60 億美元，按 64%的比例推算，SOC 測試設(shè)備市場規(guī)模估計(jì)為 36 億美元。

▲SOC 測試占半導(dǎo)體測試設(shè)備的 2/3SOC 測試設(shè)備市場主要被泰瑞達(dá)、愛德萬壟斷。5G 手機(jī) SOC 芯片測試難度更大，市場集成度有望繼續(xù)提升。

▲泰瑞達(dá)、愛德萬壟斷 SOC 測試設(shè)備市場盡管精測電子、長川科技、北京華峰測控、北京冠中集創(chuàng)、金海通等實(shí)現(xiàn)部分測試設(shè)備或分選機(jī)的國產(chǎn)化突破，但國產(chǎn)品牌主要聚焦在國內(nèi)較為成熟的電源管理芯片測試設(shè)備等領(lǐng)域，而 SOC和Memory芯片測試設(shè)備仍主要依賴于美國泰瑞達(dá)和日本愛德萬等進(jìn)口品牌。精測電子、長川科技、北京冠中集創(chuàng)等布局的數(shù)字測試設(shè)備急需市場培育。3、 硅片生長與加工設(shè)備半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目眾多，但絕大部分設(shè)備依賴進(jìn)，對日本設(shè)備廠商依賴程度高：(1) 長晶爐：進(jìn)口品牌韓國 S-TECH，國產(chǎn)品牌晶盛機(jī)電、南京晶能，晶盛機(jī)電有望實(shí)現(xiàn)長晶爐國產(chǎn)化;(2) 研磨設(shè)備：95%以上來自日本，包括設(shè)備廠商?hào)|京工程、光洋機(jī)械、東京精機(jī)、 HAMAI 等;晶盛機(jī)電有望實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化;(3) 拋光：100%依賴進(jìn)口，外資品牌包括 Lapmaster、不二越、OKAMOTO、東京精機(jī);(4) 減?。?00%從日本進(jìn)口，包括 DISCO、光洋機(jī)械、OKAMOTO(岡本機(jī)械);

▲主要大硅片產(chǎn)線的設(shè)備國產(chǎn)化率為 10%-20%晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)中環(huán)領(lǐng)先長晶爐和切割設(shè)備國產(chǎn)化，目前已布局單晶硅棒滾磨一體機(jī)、拋光機(jī)、雙面研磨、晶圓邊緣檢測設(shè)備。智東西認(rèn)為，在每一次信息技術(shù)重大突破節(jié)點(diǎn)，半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模都會(huì)產(chǎn)生一次大飛躍。現(xiàn)在，在5G技術(shù)的拉動(dòng)下，半導(dǎo)體行業(yè)的全面復(fù)蘇期來臨，行業(yè)規(guī)模將上一個(gè)新臺(tái)階，并大概率創(chuàng)歷史新高。國產(chǎn)設(shè)備盡管技術(shù)積淀已有 15-20 余年，但因人才缺乏與研發(fā)投入不足，且驗(yàn)證周期長等因素而備受制約，預(yù)計(jì)在 2016-2019 年進(jìn)入主流晶圓廠工藝驗(yàn)證的關(guān)鍵設(shè)備，將在 2020 年獲得實(shí)質(zhì)性突破，在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場進(jìn)入新一輪擴(kuò)展階段，刻蝕、清洗、CMP、熱處理等設(shè)備的國產(chǎn)品牌市占率將穩(wěn)中有升，而光刻、涂膠顯影、量測、CVD、PVD、ALD 等有望獲得重大進(jìn)展。來源：智東西圖文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載，版權(quán)歸原作者所有。不代表本公眾號(hào)觀點(diǎn)，如涉及作品版權(quán)問題，請與我們聯(lián)系，我們將在第一時(shí)間協(xié)商版權(quán)問題或刪除內(nèi)容!